快科技8月10日消息，據(jù)報道，三星計劃重新推出其Z-NAND存儲技術(shù)，目標性能比傳統(tǒng)NAND閃存提升高達15倍，同時功耗降低80%。

此外，三星還開發(fā)了一種名為“GPU-Initiated Direct Storage Access（GIDS）”的新技術(shù)，允許GPU直接訪問Z-NAND存儲設(shè)備，類似于微軟的DirectStorage API。

三星的Z-NAND技術(shù)最初于2010年代中期推出，目標是與英特爾3D XPoint Optane存儲技術(shù)競爭。兩者都引入了一種新型固態(tài)存儲，其性能接近DRAM，系統(tǒng)延遲遠低于傳統(tǒng)SSD。

與英特爾的3D XPoint Optane不同，三星的第一代Z-NAND本質(zhì)上是加速版的NAND SLC SSD。

其基于改進的V-NAND設(shè)計，采用48層結(jié)構(gòu)，以單層單元（SLC）模式運行，其關(guān)鍵改進是將頁面大小減小至2-4KB，從而實現(xiàn)更快的數(shù)據(jù)讀寫速度和更低的系統(tǒng)延遲。

當時，基于英特爾Optane和三星Z-NAND的驅(qū)動器速度比傳統(tǒng)SSD快6-10倍，如果三星的下一代Z-NAND達到預期目標，其性能將比當前的NVMe SSD高出15倍。