1月12日，臺積電公布了2022年第四季度財務報告，并在法說會上透露，他們的2nm工藝正在積極研發(fā)中，預計2025年量產。

與此同時，臺積電將在2nm工藝中首次更換晶體管架構，從FinFET轉至GAA。這項變動臺積電落后了三星3年時間。可以看出，臺積電為了保證芯片良率，在更換晶體管架構方面比較保守。

據(jù)了解，搭載FinFET架構的臺積電初代3nm的良率達到了70%～80%，而搭載GAA架構的三星初代3nm的良率，只有10%～20%。過低的良率導致三星2023年的大部分訂單都被臺積電搶走，競爭相當激烈。

對于3nm以下工藝制程，GAA工藝架構將是必然之選。隨著技術節(jié)點的進一步推進，F(xiàn)inFET結構面臨越來越大的困難與挑戰(zhàn)。該結構的制備工藝十分復雜，會給工藝的穩(wěn)定性方面帶來一定困擾，使漏電問題無法得到有效保障。相比于三面圍柵的FinFET結構，GAA技術采用的四面環(huán)柵結構，可以更好地抑制漏電流的形成和驅動電流的增大，更有利于實現(xiàn)性能和功耗之間的平衡。

然而，在采用新工藝技術的同時，也會帶來一定的風險?！癋inFET工藝結構已經在先進集成電路芯片中發(fā)展應用了10年之久，可見FinFET技術在各方面已經相對比較成熟，也能夠更好地控制成本，而引入GAA之后，在很多技術方面需要進行重新考量，需要花費更多成本來進行研發(fā)，這也容易造成芯片成本更高，芯片良率也難以保證?！盙artner研究副總裁盛凌海同《中國電子報》記者說。

預計在臺積電2nm量產之時，會迎來新一輪的角逐。首先，臺積電計劃在2025年的2nm制程工藝上用上GAA晶體管架構，或許也將面臨三星同樣的瓶頸期，短時間內難以保證穩(wěn)定的良率。其次，屆時，三星在GAA晶體管架構方面應已有了一定的技術積累，有可能在臺積電陷入瓶頸期時，挽回此前流失的客戶，這或許將給臺積電帶來更大的挑戰(zhàn)。