快科技8月21日消息，據(jù)媒體報道，英偉達宣布將自研基于3nm工藝的HBM內存Base Die，預計于2027年下半年進入小規(guī)模試產階段，此舉旨在彌補其在HBM領域的技術與生態(tài)短板。

未來，英偉達的HBM供應鏈將轉向采用“內存原廠DRAM Die + 英偉達自研Base Die”的組合模式，標志著其在高性能計算存儲架構中進一步深化垂直整合。

HBM已成為打破AI芯片“存儲墻”的關鍵。從A100到Blackwell Ultra系列，HBM在芯片物料成本（BOM）中的占比已超過50%。目前該市場由SK海力士、三星和美光主導，其中SK海力士市占率最高。

隨著HBM4時代的到來，傳輸速率需突破10Gbps，Base Die必須采用先進邏輯制程，其制造將依賴臺積電等晶圓代工廠。

英偉達自研Base Die不僅為了增強供應鏈議價能力，更著眼于引入高性能特性，提升HBM與GPU/CPU間的數(shù)據(jù)傳輸效率，進一步鞏固其對NVLink-Fusion開放架構生態(tài)的掌控。

這一戰(zhàn)略將沖擊現(xiàn)有存儲芯片廠商。英偉達的入局將打破以SK海力士為代表的存儲原廠的技術壁壘，使其角色從整體解決方案提供者轉向組件供應商。同時，混合鍵合、新型中介層等配套技術的需求預計將大幅增長，推動上游材料與設備產業(yè)發(fā)展。

盡管英偉達自研Base Die方案可能難以被CSP大廠直接采用，但其模組化設計有望使聯(lián)發(fā)科、世芯等合作伙伴受益。隨著英偉達與SK海力士競相推進HBM4量產進程，HBM市場即將迎來新一輪競爭與格局重塑。