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ASML/臺(tái)積電2nm確定用!NVIDIA帶來(lái)芯片光刻技術(shù)大飛躍:提速40倍
今晚(3月21日),NVIDIA春季GTC技術(shù)大會(huì)召開(kāi)。作為NVIDIA炫技的主要舞臺(tái),新東西可謂眼花繚亂。 其中值得關(guān)注的一項(xiàng)是,NVIDIA宣布推出cuLitho軟件加速庫(kù),可以將計(jì)算光刻的用時(shí)提速40倍。 所謂計(jì)算光刻就是為芯片生產(chǎn)制作光掩模的技術(shù),掩膜是一種平面透明或半透明的光學(xué)元件,上面有芯片加工所需的圖案,按照是否需要曝光將圖案轉(zhuǎn)移到光刻膠層上。光刻加工過(guò)程開(kāi)始后,通過(guò)控制光刻機(jī)的
2023-03-23 12:50:53
來(lái)源:快科技??

今晚(3月21日),NVIDIA春季GTC技術(shù)大會(huì)召開(kāi)。作為NVIDIA炫技的主要舞臺(tái),新東西可謂眼花繚亂。

其中值得關(guān)注的一項(xiàng)是,NVIDIA宣布推出cuLitho軟件加速庫(kù),可以將計(jì)算光刻的用時(shí)提速40倍。

所謂計(jì)算光刻就是為芯片生產(chǎn)制作光掩模的技術(shù),掩膜是一種平面透明或半透明的光學(xué)元件,上面有芯片加工所需的圖案,按照是否需要曝光將圖案轉(zhuǎn)移到光刻膠層上。光刻加工過(guò)程開(kāi)始后,通過(guò)控制光刻機(jī)的曝光和開(kāi)關(guān)操作,可以將光束根據(jù)掩膜上的圖案進(jìn)行分割和定位,使得光束只照射到需要曝光的區(qū)域,從而將芯片上的圖案轉(zhuǎn)移到光刻膠層上,實(shí)施芯片光刻。

因?yàn)槊糠N芯片都要經(jīng)歷多次曝光,所以光刻中使用的掩膜數(shù)量不盡相同。NVIDIA H100(臺(tái)積電4N工藝,800億晶體管)需要89張掩膜,Intel的14nm CPU需要50多張掩膜。

此前“精雕細(xì)琢”的計(jì)算光刻依賴CPU服務(wù)器集群,現(xiàn)在NVIDIA表示,500套DGX H100(包含4000顆Hopper GPU)可完成與4萬(wàn)顆CPU運(yùn)算服務(wù)器相同的工作量,但速度快40倍,功耗低9倍。

這意味著,GPU加速后,生產(chǎn)光掩模的計(jì)算光刻工作用時(shí)可以從幾周減少到八小時(shí)。

黃仁勛透露,NVIDIA已經(jīng)和ASML(荷蘭阿斯麥)、臺(tái)積電以及新思科技簽署技術(shù)合作,新思甚至已經(jīng)將該技術(shù)集成到其EDA工具中,將服務(wù)2nm甚至更高精度的制程。

NVIDIA認(rèn)為,新技術(shù)可以實(shí)現(xiàn)更高的芯片密度和產(chǎn)量,按照更好的設(shè)計(jì)規(guī)則以及借助人工智能驅(qū)動(dòng)光刻行業(yè)前進(jìn)。

按照NVIDIA預(yù)估,未來(lái)幾年高NA EUV光刻機(jī)應(yīng)用后,掩膜制作的計(jì)算數(shù)據(jù)量將提升10倍以上,目前cuLitho軟件加速庫(kù)已經(jīng)支持高NA EUV光刻可能用到的曲線掩膜、亞原子光致抗蝕劑掩膜等制造。

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